半导体材料 (第二版/杨树人/科学出版社/8成新/I3)

作　者：杨树人王宗昌王兢

ISBN：7030128176

出版社：科学出版社

开本装帧：简装 / 小16开 / 264页

版　次：2004年8月第2版　

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更新时间：2007-11-8 22:57:11

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◆ [半导体材料 (第二版/杨树人/科学出版社/8成新/I3)] 图书简介

本书是为大学本科与半导体相关的专业编写的教材.本书介绍主要半导体材料硅\砷化镓等制备的基本原理,工艺和特性的控制等.全书分11章,第1章为硅和锗的化学制备;第2章为区熔提纯;第3章为晶体生长;第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；第7章为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体；第10章为氧化物半导体材料；第11章为其他半导体材料。
本书也可以作为从事与半导体相关研究工作的科研人员和相关专业研究生的参考书。

◆ [半导体材料 (第二版/杨树人/科学出版社/8成新/I3)] 图书目录

再版前言
前言
绪论
第1章硅和锗的化学制备
1.1硅和锗的物理化学性质
1.2高纯硅的制备
1.3锗的富集与提纯
第2章区熔提纯
2.1分凝现象与分凝系数
2.2区熔原理
2.3锗的区熔提纯
第3章晶体生长
3.1晶体生长理论基础
3.2熔体的晶体生长
3.3硅、锗单晶生长
第4章硅、锗晶体中的杂质和缺陷
4.1硅、锗晶体中杂质的性质
4.2硅、锗晶体中的掺杂
4.3硅、锗单晶的位错
4.4硅晶体中的微缺陷
第5章硅外延生长
5.1外延生长概述
5.2硅的气相外延生长
5.3硅外延层电阻率的控制
5.4硅外延层的缺陷
5.5硅的异质外延
第6章Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
6.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性
6.2砷化镓单晶的生长方法
6.3砷化镓单晶中杂质的控制
6.4砷化镓单晶的完整性
6.5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制备
第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的外延生长
7.1气相外延生长(VPE)
7.2金属有机物气相外延生长(MOVPE)
7.3液相外延生长(LPE)
7.4分子束外延生长(MBE)
7.5化学束外延生长(CBE)
7.6其他外延生长技术
第8章Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半导体
8.1异质结与晶格失配
8.2GaAlAs外延生长
8.3InGaN外延生长
8.4InGaAsP外延生长
8.5超晶格与量子阱
8.6应变超晶格
8.7能带工程
第9章Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体
9.1Ⅱ—Ⅵ族化合物单晶材料的制备
9.2Ⅱ—Ⅵ族化合物的点缺陷与自裣现象
9.3Ⅱ—Ⅵ族多元化合物材料
9.4Ⅱ—Ⅵ族超晶格材料
第10章氧化物半导体材料
10.1氧化物半导体材料的制备
10.2氧化物半导体材料的电学性质
10.3氧化物半导体材料的应用
第11章其他半导体材料
11.1窄带隙半导体
11.2黄铜矿型半导体
11.3纳米晶材料
11.4非晶态半导体材料
11.5有机半导体材料
参考文献

◆ 半导体材料 (第二版/杨树人/科学出版社/8成新/I3)同类图书推荐

·电路基础 (王俊鹍/人民邮电出版社/8成新/N254)
·数字信号处理:理论、算法与实现 (胡广书/清华大学出版社/N254)
·电路与设备测试检修技术及仪器 (朱锡仁/清华大学出版社/N254)
·基本电路理论 (第三版/苏中义/上海科学技术文献出版社/N254)
·电工技术基础电工学I ("十一五"/王英/机械工业出版社/N254)
·模拟电子线路基础 (吴运昌/华南理工大学出版社/8成新/N254)
·信号与线性系统分析(第4版)同步辅导及习题全解 (配吴大正第四版)
·电磁场与电磁波 (第2版/中文版/[美]戈鲁/机械工业出版社/N261)

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