半导体集成电路 (朱正涌/清华大学出版社/8成新/N245)

作　者：朱正涌

ISBN：7302040850

出版社：清华大学出版社

开本装帧：简装 / 16开 / 425页

版　次：2001年1月第1版　2006年5月第9次印刷

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更新时间：2008-11-14 11:27:15

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◆ [半导体集成电路 (朱正涌/清华大学出版社/8成新/N245)] 图书简介

本书全面介绍了半导体集成电路的分析与设计方法。全书共分为4个部分，第l部分(第1—3章)介绍了集成电路的典型工艺、集成电路中元器件的结构、特性及寄生效应。第2部分(第4—11章)为数字集成电路，讨论了常用的双极和MOS集成电路的电路结构、工作原理和放图形式。第3部分(第12—16章)为模拟集成电路，介绍了模拟集成电路中的基本单元电路及常用的模拟集成电路，如集成运算放大器、集成稳压电源电路及开关电容电路、A／D、D／A变换电路等。第4部分(第17—22章)为集成电路设计，举例介绍了集成电路的设计方法和集成电路的计算机辅助设计，其中重点论述了集成电路的版图设计以及集成电路的可靠性设计和可测性设计。每章后面都附有习题。本书可作为大专院校微电子学和半导体专业本科生的教材，也可供有关专业的本科生、研究生以及工程技术人员阅读参考。

◆ [半导体集成电路 (朱正涌/清华大学出版社/8成新/N245)] 图书目录

第1章集成电路的基本制造工艺1.1双极集成电路的基本制造工艺1.1.1典型的双极集成电路工艺1.1.2双极集成电路中元件的形成过程和元件结构1.2MOS集成电路的基本制造工艺1.2.1N沟硅栅E／DMoS集成电路工艺1.2.2CMoS集成电路工艺1.3Bi-CMOS工艺1.3.1以CMOS工艺为基础的Bi—CMOS工艺1.3.2以双极工艺为基础的Bi—CMOS工艺复习思考题第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应2.1理想本征集成双极晶体管的埃伯斯—莫尔(EM)模型2.2集成双极晶体管的有源寄生效应2.2.1NPN管工作于正向工作区和截止区的情况2.2.2NPN管工作于反向工作区的情况2.2.3NPN管工作于饱和区的情况2.3集成双极晶体管的无源寄生效应2.3.1集成NPN晶体管中的寄生电阻2.3.2集成NPN晶体管中的寄生电容2.4集成电路中的PNP管2.4.1横向PNP管2.4.2衬底PNP管2.4.3自由集电极纵向PNP管2.5集成二极管2.5.1一般集成二极管2.5.2集成齐纳二极管和次表面齐纳管2.6肖特基势垒二极管(SBD)和肖特基箝位晶体管(SCT)2.6.1肖特基势垒二极管2.6.2肖特基箝位晶体管2.6.3SBD和SCT的设计2.7MOS集成电路中的有源寄生效应2.7.1场区寄生MOSFET2.7.2寄生双极型晶体管2.7.3寄生PNPN效应2.8集成电路中的MOS晶体管模型2.8.1MOSl模型2.8.2MOS2模型2.8.3MOS3模型复习思考题第3章集成电路中的无源元件3.1集成电阻器3.1.1基区扩散电阻3.1.2其他常用的集成电阻器3.1.3MOS集成电路中常用的电阻3.2集成电容器3.2.1双极集成电路中常用的集成电容器3.2.2MOS集成电路中常用的MOS电容器3.3互连(内连线)3.3.1金属膜互连3.3.2扩散区连线3.3.3多晶硅连线3.3.4交叉连线复习思考题第4章晶体管—晶体管逻辑(TTL)电路4.1一般的TTL与非门4.1.1标准TTL与非门(四管单元)4.1.254H／74H五管单元与非门4.1.3六管单元与非门4.2STTL和LSTTL电路4.2.1六管单元STTL与非门电路4.2.2低功耗肖特基TTL(LSTTL)电路4.3LSTTL门电路的逻辑扩展4.3.1OC门4.3.2三态逻辑(TSL)门4.4ASTTl和ALSTTL电路4.5中.大规模集成电路中的简化逻辑门4.5.1简化逻辑门4.5.2单管逻辑门4.6LSTTL电路的版图设计复习思考题第5章发射极福合逻辑(ECL)电路5.1ECL门电路的工作原理5.1.1射极耦合电流开关5.1.2射极输出器5.1.3参考电压源5.2ECL电路的逻辑扩展5.3ECL电路的版图设计特点5.3.1划分隔离区5.3.2元器件的设计5.3.3布局布线复习思考题第6章集成注入逻辑(I2L)电路6.11I2L电路基本单元的结构6.2I2L基本单元电路的工作原理6.2.1当前级的输出为l态时的情况6.2.2当前级的输出为0态时的情况6.3I2L电路分析6.3.1I2L电路中的器件分析6.3.2I2l电路分析6.4I2L电路的逻辑组合6.5I2L电路的工艺与版图设计6.5.1I2L电路的工艺设计6.5.2I2L电路的版图设计复习思考题第7章MOS反相器7.1自举反相器7.2耗尽负载反相器(E／D反相器)7.3CMOS反相器7.3.1CMOS反相器的直流特性7.3.2噪声容限7.3.3开关特性7.3.4功耗7.4静态内部反相器的设计7.4.1有比反相器的设计7.4.2CMOS反相器的设计7.5动态反相器7.5.1动态有比反相器7.5.2动态无比反相器7.5.3漏举电路7.6按比例缩小理论7.6.1器件和引线按CE理论缩小的规则7.6.2按比例缩小的CV理论7.6.3按比例缩小的QCV理论复习思考题第8章MOS基本逻辑单元8.1NMOS逻辑结构8.1.1NMOS或非门电路8.1.2NMOS与非门电路8.1.3NMOS组合逻辑电路8.2CMOS逻辑结构8.2.1CMOS互补逻辑8.2.2伪NMOS逻辑8.2.3动态CMOS逻辑8.2.4钟控CMOS逻辑8.2.5CMOS多米诺逻辑8.3级联级的负载8.4影响门的电气和物理结构设计的因素8.4.1MOS管的串联和并联8.4.2衬偏调制效应8.4.3源漏电容8.4.4电荷的再分配8.5各种逻辑类型的比较8.6传输门逻辑8.7RS触发器8.7.1NMOSRS触发器8.7.2CMOSRS触发器8.8时钟脉冲控制触发器8.8.1NMOS结构的时钟脉冲控制触发器8.8.2CMOS结构的时钟脉冲控制触发器8.9D触发器8.9.1NMoSD触发器8.9.2CMOSD触发器8.10施密特触发器复习思考题第9章MOS逻辑功能部件9.1多路开关9.2加法器和进位链9.2.1组合逻辑加法器9.2.2传输门加法器9.2.3进位链9.3算术逻辑单元9.3.1以E／DNMOS反相器为主体的算术逻辑单元9.3.2以传输门为主体的算术逻辑单元9.4寄存器9.4.1双港寄存器9.4.2移位寄存器9.4.3堆栈移位寄存器9.4.4动态移位寄存器复习思考题第10章存储器10.1存储器的结构10.2掩模编程ROM10.3现场可编程ROM(PROM)10.4可擦除可编程ROM(EPROM)10.5电可擦除可编程ROM(E2PROM)10.5.1TEE8502的总体结构和工作模式10.5.2存储单元和存储矩阵10.5.3外围电路lo.6静态随机存取存储器(SRAM)10.7动态随机存取存储器(DRAM)复习思考题第11章接口电路11.1双极逻辑系列间的接口电路11.1.1ECL和TTL之间的接口电路11.1.2I2L和TTL之间的接口电路11.2TTL和MOS逻辑系列间的接口电路11.2.1TTL到CMOS的接口电路11.2.2CMOS到TTL的接口电路11.2.3E/DNMOS与TTL之间的接口电路复习思考题第12章模拟集成电路中的基本单元电路12.1单管.复合器件及双管放大级12.1.1双极晶体管复合器件及双管放大级12.1.2MOS管放大级12.2恒流源电路12.2.1精密匹配电流源12.2.2PNP恒流源12.3偏置电压源和基准电压源电路12.3.1双极型三管能隙基准源12.3.2双极型二管能隙基准源12.3.3E/DNMOS基准电压源12.3.4CMOS基准电压源复习思考题第13章集成运算放大器13.1运算放大器的输入级13.1.1双极晶体管射耦对差分输入级13.1.2MOS源耦对差分输入级13.2输出级电路13.2.1双极型输出级电路13.2.2MOS输出级电路13.3双极型集成运算放大器13.3.1741型通用集成运放13.3.2其他特殊运放13.4MOS集成运算放大器13.4.1MOS集成运放的特点13.4.2E/DNMOS集成运放13.4.3全增强型NMOS集成运放13.4.4CMOS集成运放13.5集成运算放大器的版图设计13.5.1双极型集成运放的版图设计13.5.2MOS集成运放的版图设计复习思考题第14章MOS开关电容电路14.1开关电容等效电阻电路14.1.1并联型开关电容等效电阻电路14.1.2串联型开关电容等效电阻电路14.2开关电容积分器14.3开关电容低通滤波器复习思考题第15章集成稳压器15.1集成稳压器的基本结构15.2启动电路15.2.1JFET启动电路15.2.2晶体管隔离启动电路15.3保护电路15.3.1调整管的过流及安全工作区保护15.3.2过热保护15.4三端固定输出电压式稳压电源15.4.1启动电路15.4.2保护电路15.4.3基准电压源和误差放大器15.4.4取样电阻15.5集成稳压器的版图设计15.5.1调整管的版图设计15.5.2集成稳压器版图设计的热对称考虑复习思考题第16章D／A,A／D变换器16.1D／A变换器的基本原理16.2D／A变换器的基本类型16.2.1电流定标D／A变换器16.2.2电压定标D／A变换器16.2.3电荷定标D／A变换器16.3A／D变换器的变换原理16.3.1A／D变换器的方框图16.3.2主要变换误差16.4A／D变换器的基本类型16.4.1积分型A／D变换器16.4.2逐次逼近式A／D变换器复习思考题第17章集成电路设计概述复习思考题第18章集成电路的正向设计18.1MOS集成电路的正向设计18.1.174HCl39电路简介18.1.2电路设计18.1.3工程估算18.1.4电路模拟18.1.5版图设计18.1.6版图检查18.2双极型集成电路的正向设计18.2.1双极型集成电路设计的特点18.2.2双极型集成电路中元件的图形设计18.2.3双极型集成电路的版图设计原则18.2.4双极型集成电路版图设计举例复习思考题第19章集成电路的芯片解剖19.1MOS集成电路的芯片解剖19.1.174HCl93芯片概况19.1.2芯片解剖过程19.1.3电路分析19.1.4逻辑功能的分析19.1.5版图设计规则的分析19.1.6抑制Latch—up效应的措施19.1.7版图的布局布线19.2双极型集成电路的芯片解剖复习思考题第20章集成电路设计方法20.1全定制设计方法20.2符号法版图设计20.3半定制设计方法20.3.1标准单元设计法20.3.2门阵列设计方法20.4可编程逻辑器件(PLD)设计法20.5现场可编程门阵列(FPGA)设计法复习思考题第21章集成电路的可靠性设计和可测性设计简介21.1可靠性设计21.1.1集成电路的固有可靠性21.1.2电路设计中提高可靠性的措施21.1.3版图设计中提高可靠性的措施21.1.4工艺设计中提高可靠性的措施21.2可测性设计21.2.1可测性设计的重要性21.2.2可测性设计简介复习思考题第22章集成电路的计算机辅助设计简介22.1概述22.2集成电路CAD中常用的工具简介22.2.1器件模拟22.2.2电路模拟22.2.3逻辑模拟22.2.4版图设计阶段22.3VHDL简介22.3.1VHDL术语22.3.2VHDL的主体结构22.3.3VHDL描述举例复习思考题

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